T-RAM

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ThyristorRAM ( T-RAM ) is a new (2009) type of DRAMcomputer memory invented and developed by T-RAM Semiconductor , which departs from the usual designs of memory cells, combining the strengths of the DRAM and SRAM : high density and high speed.可控硅RAM(T-RAM)是一种新的(2009)的DRAM电脑内存的类型和开发的T-RAM半导体 ,强强联手,DRAM和SRAM的存储单元,从通常的设计出发:高密度,高速度。

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T-RAM定义

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这项技术,它利用被称为负微分电阻特性的电特性,和被称为薄膜电容耦合的晶闸管用于创建的存储单元,能够非常高的填充密度。由于这个原因,存储器中是高度可扩展的,并且已经有一个高出几倍发现在传统的六晶体管SRAM存储器的存储密度。据预计,下一代的T-RAM存储器,将具有相同的密度DRAM。
.据推测,这种类型的内存将被用于下一代处理器的AMD ,在32nm和22nm ,取代先前的授权,但使用Z-RAM技术。 Xandores CPCARM正在努力开发这种技术。

T-RAM概念

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晶闸管,高密度的“锁存”
.6T-SRAM相似,使用晶闸管提供了一个积极的回馈非常大的位单元操作利润的结果。不同的是,一个6T-SRAM的四个晶体管的CMOS锁存被替换的PNP-NPN型的双极型锁存器的一个单一的晶闸管的移动设备,这极大地降低小区区域,可实现高密度的宏。.晶闸管锁存器读/写操作期间激活检测/改变其存储的电荷,并保持在待机状态下,提供低功耗操作。

T-RAM优点

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速度和密度的最佳组合
晶闸管-RAM宏提供的所有嵌入式记忆体解决方案的性能和密度之间的最高组合。甲可控硅RAM宏观的匹配性能,同时提供高2至3倍宏观密度和更低的功耗6T-SRAM。

T-RAM可靠性

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成熟的Manufacturabilty
T-RAM T-RAM半导体已交付完全制造的,采用高速嵌入式记忆体解决方案。经验丰富的技术和电路记忆体开发商花了数百人,建立和优化TCCT™细胞和细胞阵列的最高产量超过晶圆厂处理的变化。其结果是产率是有限的,只有的RAM宏的外周,而不是由细胞本身。
多个测试芯片已被用于发展的能力的细胞和单元阵列。这些测试芯片已经发展到提供完整的同步SRAM的功能和完整的数据表的相容性与商业同步SRAM产品在市场上。已被证明的商业竞争力的收益率,这些产品的等效试验车辆的可制造性。
TCCT™细胞的过程经过精心整合,以最大限度地提高性能,而无需改变或妥协的基础技术。没有新的材料或过程进行了介绍和只需要植入物以形成TCCT™。为了实现这种整合,成千上万的晶圆处理开发过程中,确保了最高性能的一个大样本的材料。
大信号噪声比的TCCT™细胞有助于制造的T-RAM Semicondcutor的鲁棒性技术。已经选择了容忍的正常变化,导致高收率稳定的制造工艺变化的整个范围内的细胞和阵列设计的其他方面。
TCCT™细胞和细胞阵列的可靠性,已被证明具有广泛的可靠性测试,使用行业标准的方法。该技术已产生良好的可靠性标准的高速SRAM产品和有竞争力的结果,使嵌入式用户生产出的产品具有高可靠性的内存。
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参考资料
  • 1.    T-RAM  .T-RAM半导体公司[引用日期2012-12-17]
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文化活动 文化